Baú da Eletrônica

Os Transistores de Efeito Campo (FET, Field Effect Transistor ), são dispositivos semicondutores controlados pelo campo elétrico, essa é a principal diferença entre eles e os transistores conhecidos como transistores de junção bipolar (BJT), já que esses são controlados por corrente. Os FETs pode ser utilizandos para a amplificação de sinais elétricos, quando trabalham em sua região linear. Ou, como chaves semicondutoras, quando operam na regiões de corte e saturação, também conhecida com região não-linear. Os transistores de efeito campo pode ser divididos em dois grupos conhecidos com: JFET e MOSFET. Transitores de efeito campo pode ser construidos com canal do tipo P ou canal do tipo N, conforme pode ser visto na figura 1. Figura 1- FET com Canal N e FET com Canal P.

O circuito da figura abaixo amplifica os sinais recebidos pela antena de TV, VHF ou FM em cerca de 50 vezes, o que corresponde a cerca de 16 dB. Este é um circuito ideal para locais com má recepção desses tipos de sinais. Esquema de amplificador de para sinais de alta frequência . Clique na figura para ampliá-la O amplificador pode trabalhar com sinais nas faixa de frequência de 50 e 150MHz e pode. O circuito é composto por dois transistores, um bipolar e o outro de efeito campo, os demais componentes são passivos (resistores, capacitores e indutores). O consumo do circuito fica em 5 mA tornando ideal para ser alimentando por pilhas ou baterias. O circuito de sintonia é duplo o que permite o melhor ajuste de ganho na frequência sintonizada. O que é conseguindo através de dois trimmers ( capacitor variável), bem como variado a indutância das bobinas: As bobinas devem ser construídas com fio 22 AWG .

Projeto conceitual do futuro celular Nokia utilizando nanotecnologia: - Até ontem eu só queria um Iphone .

O 7404 é um dispositivo TTL composto de seis inversores:

Na figura abaixo tem-se o esquema de um amplificador de áudio com potência RMS de 35W. Este amplificador transistorizado deve ser alimentado por uma fonte de 59V com pelo menos 1A de corrente. O circuito é capaz de excitar alto-falantes de 8 Ω com potência de 35Wrms. Esquema de amplificador de áudio . (Clique na figura para ampliá-la). Os transistores de saída (MJE2901) devem ser montados em bons dissipadores de calor, devido à elevada potência dissipada. Recomenda-se montar os transistores em dissipadores separados, uma vez que não deve haver contato elétrico entre os coletores dos dois transistores. No caso da montagem dos dois componentes num único radiador, deve-se promover o devido isolamento elétrico utilizando-se folhas de mica. O alto-falante deve ser compatível com a potência do amplificador de áudio, pode ser menor, mas nunca . maior. Para a excitação deste circuito deve ser usado um pré-amplificador com uma saída de pelo menos 1Vpp. Os diodos admitem equivalente...

O IRFP4110PbF é um MOSFET de potência com um máximo V DS igual a 100V e podendo trabalhar com uma corrente de até 120A. Tudo isso aliado a uma R DS (on) máxima de 4,5 mΩ, enquanto a resistência típica fica em torno de 3,7mΩ. O IRFP4110PbF vem no encapsulamento TO-247 . Pinagem do IRFP4110PbF Esse dispositivo foi desenvolvido para aplicações de eletrônica de potência tais como: fontes de retificadores síncronos e No-breaks. Datasheets do IRFP4110PbF Rev. 1 03/09/11

O diodo 1n4148 é um dispositivo semicondutor capaz de trabalhar com tensões reversas de até 75V (100V em tensão pulsada). Sua máxima corrente direta de operação está na ordem de 50mA, porém sua corrente de fuga é de apenas 25nA. O tempo de recuperação do 1n4148 é de 4ns, para uma corrente direta de 100mA e uma tensão reversa de 6V. Isso torna interessante em circuitos onde o rápida bloqueio se faz necessário. Esse diodo pode ser utilizado para retificar pequenos sinais com frequência de até 1MHz ou na proteção de Conversores Analógico Digital (AD), para grampear o sinais dentro da faixa de operação do AD, por exemplo.