Uma nova linha de memórias F-RAM, Ferro-magnetic Random-Access Memory (Memória de acesso aleatório Ferro-Magnética) não-voláteis, da empresa Ramtron International, prometem substituir as memórias EEPROM, Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory.

As F-RAM da Ramtron estão disponíveis em formato SOIC (Small-outline integrated circuit), DFN8, BGA, TSOP e PDIP. Também são encontradas em uma gama ampla de capacidades, 4kb até 2Mb. No que diz respeito interface de comunicação, podem ser de três em tipos: SPI, I2C e Paralela.

Não vejo a hora de começar a usar esses dispositivos em meus projetos. E vcs?

Os Transistores de Efeito Campo (FET, Field Effect Transistor), são dispositivos semicondutores controlados pelo campo elétrico, essa é a principal diferença entre eles e os transistores conhecidos como transistores de junção bipolar (BJT), já que esses são controlados por corrente. Os FETs pode ser utilizandos para a amplificação de sinais elétricos, quando trabalham em sua região linear. Ou, como chaves semicondutoras, quando operam na regiões de corte e saturação, também conhecida com região não-linear. Os transistores de efeito campo pode ser divididos em dois grupos conhecidos com: JFET e MOSFET.

Transitores de efeito campo pode ser construidos com canal do tipo P ou canal do tipo N, conforme pode ser visto na figura 1.
Figura 1- FET com Canal N e FET com Canal P.



O circuito da figura abaixo amplifica os sinais recebidos pela antena de TV, VHF ou FM em cerca de 50 vezes, o que corresponde a cerca de 16 dB. Este é um circuito ideal para locais com má recepção desses tipos de sinais.

Esquema de amplificador de para sinais de alta frequência.
Clique na figura para ampliá-la

O amplificador pode trabalhar com sinais nas faixa de frequência de 50 e 150MHz e pode. O circuito é composto por dois transistores, um bipolar e o outro de efeito campo, os demais componentes são passivos (resistores, capacitores e indutores). O consumo do circuito fica em 5 mA tornando ideal para ser alimentando por pilhas ou baterias.

O circuito de sintonia é duplo o que permite o melhor ajuste de ganho na frequência sintonizada. O que é conseguindo através de dois trimmers (capacitor variável), bem como variado a indutância das bobinas:

As bobinas devem ser construídas com fio 22 AWG.

Projeto conceitual do futuro celular Nokia utilizando nanotecnologia:



- Até ontem eu só queria um Iphone.

7404

Postado por Unknown | 09:47 | , , , , | 0 comentários »

O 7404 é um dispositivo TTL composto de seis inversores:

Na figura abaixo tem-se o esquema de um amplificador de áudio com potência RMS de 35W. Este amplificador transistorizado deve ser alimentado por uma fonte de 59V com pelo menos 1A de corrente. O circuito é capaz de excitar alto-falantes de 8Ω com potência de 35Wrms.

Esquema de amplificador de áudio.
(Clique na figura para ampliá-la).

Os transistores de saída (MJE2901) devem ser montados em bons dissipadores de calor, devido à elevada potência dissipada. Recomenda-se montar os transistores em dissipadores separados, uma vez que não deve haver contato elétrico entre os coletores dos dois transistores. No caso da montagem dos dois componentes num único radiador, deve-se promover o devido isolamento elétrico utilizando-se folhas de mica.

O alto-falante deve ser compatível com a potência do amplificador de áudio, pode ser menor, mas nunca .
maior.
Para a excitação deste circuito deve ser usado um pré-amplificador com uma saída de pelo menos 1Vpp. Os diodos admitem equivalentes, como os 1N4002.


Lista de componentes mostrados no esquema do amplificador de áudio:

  • Capacitores de 47pF, 2x100pF, 2x1uF, 50uF, 2000uF
  • Resistores de 0,39, 0,47, 10R, 2x180R, 270R, 5k6, 8k2, 10k, 47k, 150k, 220k;
  • Transistores BC349C, BFX29, BD237, BD238, MJE2901, MJE2801;
  • Diodos 3xMZ2361, 


Em breve no Baú da Eletrônica:
  • circuitos da fonte desse amplificador de áudio;
  • pré-amplificador com saída de 1 Vpp;
  • placa do amplificador de 35Wrms.
Rev. 1 03/09/11

IRFP4110PbF

Postado por Unknown | 22:22 |

O IRFP4110PbF é um MOSFET de potência com um máximo VDS igual a 100V e podendo trabalhar com uma corrente de até 120A. Tudo isso aliado a uma RDS(on) máxima de 4,5 mΩ, enquanto a resistência típica fica em torno de 3,7mΩ. O IRFP4110PbF vem no encapsulamento TO-247.
Pinagem do IRFP4110PbF


Esse dispositivo foi desenvolvido para aplicações de eletrônica de potência tais como: fontes de retificadores síncronos e No-breaks.


Datasheets do IRFP4110PbF

Rev. 1 03/09/11

1n4148

Postado por Unknown | 20:16 | , , | 2 comentários »

O diodo 1n4148 é um dispositivo semicondutor capaz de trabalhar com tensões reversas de até 75V (100V em tensão pulsada). Sua máxima corrente direta de operação está na ordem de 50mA, porém sua corrente de fuga é de apenas 25nA. O tempo de recuperação do 1n4148 é de 4ns, para uma corrente direta de 100mA e uma tensão reversa de 6V. Isso torna interessante em circuitos onde o rápida bloqueio se faz necessário.

Esse diodo pode ser utilizado para retificar pequenos sinais com frequência de até 1MHz ou na proteção de Conversores Analógico Digital (AD), para grampear o sinais dentro da faixa de operação do AD, por exemplo.

Leis de Kirchhoff

Postado por Unknown | 19:03 | | 0 comentários »

Lei dos Nós ou Lei das Correntes de Kirchhoff: essa lei estabelece que o somatório das correntes elétricas em um nó é igual a zero.

Figura 1 - Lei de kirchhoff para as corrente em um Nó elétrico.

-i1+i2+i3+i4=0

A Lei das Tensões de Kirchhoff é um dos alicerces da teoria de circuitos. Ela estabelece que o somatório algébrico das tensões sobre os componentes em uma malha fechada é igual a zero. Essa lei também é conhecida como Lei das Malhas.
Figura 2 - Lei de Kirchhoff para as tensões em uma malha.

V1+V2+V3=0


Um pouco de história...

Gustav Robert Kirchhoff, nasceu na Prússia em 12 de março de 1824 e faleceu em Berlim em 17 outubro de 1887. Foi um físico que em 1845 formulou as Famosas leis de Kirchhoff, para a tensão e corrente. Essas leis são baseadas no princípio da conservação da energia e no princípio da conservação da carga elétrica, respectivamente.

O transistor PNP é um dispositivo eletrônico formada por três camadas de material semicondutor, duas dopadas com impurezas do tipo P e outra dopada com impurezas do tipo N. Esse componente eletrônico é largamente utilizada em amplificadores, já que é capaz de dar ganhos elevados a pequenos sinais colocados em sua base.

Transistores PNP tem lógica positiva ao contrário do Transistor do tipo NPN que possue lógica negativa, ou seja, sua polarizada é invertida em relação a este ultima transistor.

Na figura 1 é apresentado o simbolo do transistor PNP, bem como suas respectivas quedas de tensão e sintidos de correntes. Esse tipo de componte possue três terminais: coletor, base e emissor.
Transistor PNPFigura 1 - Símbolo do Transistor PNP.

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